Improvement of deep submicron buried-channel p-MOSFET by as and P co-implantation for punchthrough stopper

被引：0

作者：

Son, J ^{[1
]}

Lee, SD ^{[1
]}

Huh, K ^{[1
]}

Hwang, J ^{[1
]}

机构：

[1] LG SEMICON LTD LTD,ULSI LAB,HUNGDUK GU,CHEONGJU 360480,SOUTH KOREA

来源：

1996 54TH ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE DIGEST | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/DRC.1996.546298

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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