Surface reaction of trimethylgallium on GaAs (vol 14, pg 136, 1996)

被引：1

作者：

Nishizawa, J ^{[1
]}

Sakuraba, H ^{[1
]}

Kurabayashi, T ^{[1
]}

机构：

[1] SEMICOND RES INST,AOBA KU,SENDAI,MIYAGI 980,JAPAN

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1996年 / 14卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1116/1.588735

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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