Scalable bipolar transistor model including quasi-saturation effect for BiCMOS application

被引：0

作者：

Dai, Y ^{[1
]}

Yuan, JS ^{[1
]}

Song, JL ^{[1
]}

Campbell, P ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CENT FLORIDA,DEPT ELECT & COMP ENGN,ORLANDO,FL 32816

来源：

SOUTHCON/96 - CONFERENCE RECORD | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/SOUTHC.1996.535102

中图分类号：

TP [自动化技术、计算机技术];

学科分类号：

0812 ;

摘要：

引用

页码：405 / 412

页数：4