Characterizing intrinsic charges in top gated bilayer graphene devices by Raman spectroscopy (vol 50, pg 3435, 2012)

被引：0

作者：

Mafra, D. L. ^{[1
]}

Gaya, P. ^{[2
,3
]}

Malard, L. M. ^{[1
]}

Borges, R. S. ^{[4
]}

Silva, G. G. ^{[4
]}

Leon, J. A. ^{[1
]}

Plentz, F. ^{[1
]}

Mauri, F. ^{[2
,3
]}

Pimenta, M. A. ^{[1
]}

机构：

[1] Univ Fed Minas Gerais, Dept Fis, BR-30123970 Belo Horizonte, MG, Brazil

[2] Univ Paris 06, CNRS, IMPMC, IPGP, Paris, France

[3] Univ Paris 07, CNRS, IMPMC, IPGP, Paris, France

[4] Univ Fed Minas Gerais, Dept Quim, BR-30123970 Belo Horizonte, MG, Brazil

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/j.carbon.2014.02.034

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：433 / 433

页数：1

共 3 条