High-voltage field effect transistors with wide-bandgap β-Ga2O3 nanomembranes (vol 104, 203111, 2014)

被引：12

作者：

Hwang, Wan Sik ^{[1
]}

Verma, Amit ^{[2
]}

Peelaers, Hartwin ^{[3
]}

Protasenko, Vladimir ^{[2
]}

Rouvimov, Sergei ^{[2
]}

Xing, Huili ^{[2
]}

Seabaugh, Alan ^{[2
]}

Haensch, Wilfried ^{[4
]}

Van de Walle, Chris ^{[3
]}

Galazka, Zbigniew ^{[5
]}

Albrecht, Martin ^{[5
]}

Fornari, Roberto ^{[5
,6
]}

Jena, Debdeep ^{[2
]}

机构：

[1] Korea Aerosp Univ, Dept Mat Engn, Gyeonggi 412791, South Korea

[2] Univ Notre Dame, Dept Elect Engn, Notre Dame, IN 46556 USA

[3] Univ Calif Santa Barbara, Dept Mat, Santa Barbara, CA 93106 USA

[4] IBM TJ Watson Res Ctr, Yorktown Hts, NY 10598 USA

[5] Leibniz Inst Crystal Growth, D-12489 Berlin, Germany

[6] Univ Parma, Dept Phys & Earth Sci, I-43124 Parma, Italy

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.4884096

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页数：1