Characterization of inversion layer carrier profile in deep-submicron p-MOSFET's

被引：0

作者：

Yu, B

Imai, K

Hu, CM

机构：

来源：

55TH ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE, DIGEST - 1997 | 1997年

关键词：

D O I：

10.1109/DRC.1997.612460

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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