Fabrication of high-aspect-ratio 35 μm pitch through-wafer copper interconnects by electroplating for 3D wafer stacking (vol 9, pg G305, 2006)

被引：2

作者：

Dixit, Pradeep ^{[1
]}

Miao, Jianmin

Preisser, Robert

机构：

[1] Nanyang Technol Univ, Micromachines Ctr, Sch Mech & Aerosp Engn, Singapore 639798, Singapore

[2] Deutsch GmbH, Berlin, Germany

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2374879

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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