Experimental and analytical studies on CMOS scaling in deep submicron regime including quantum and polysilicon gate depletion effects

被引：2

作者：

Chen, K

Hu, CM

Fang, P

Gupta, A

Lin, MR

Wollesen, D

机构：

来源：

55TH ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE, DIGEST - 1997 | 1997年

关键词：

D O I：

10.1109/DRC.1997.612459

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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