A 3b 40GS/s ADC-DAC in 0.12μm SiGe

被引：47

作者：

Cheng, W ^{[1
]}

Ali, W ^{[1
]}

Choi, MJ ^{[1
]}

Liu, K ^{[1
]}

Tat, T ^{[1
]}

Devendorf, D ^{[1
]}

Linder, L ^{[1
]}

Stevens, R ^{[1
]}

机构：

[1] TelASIC Commun Inc, El Segundo, CA USA

来源：

2004 IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 2004年 / 47卷

关键词：

D O I：

10.1109/ISSCC.2004.1332694

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：262 / 263

页数：2