Comparison of charge yield in MOS devices for different radiation sources (vol 49, pg 2656, 2002)

被引：0

作者：

Paillet, P ^{[1
]}

Schwank, JR

Shaneyfelt, MR

Ferlet-Cavrois, V

Jones, RL

Flament, O

Blackmore, EW

机构：

[1] CEA, DIV, F-91680 Bruyeres Le Chatel, France

[2] Sandia Natl Labs, Albuquerque, NM 87185 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.2003.809324

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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