Round robin test for depth profiling of SiO2/Si multilayer

被引：1

作者：

Kojima, I

Azuma, Y

Xu, JH

Saitou, T

Yonekubo, S

Shimosato, N

机构：

[1] Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, AIST, NMIJ, Mat Characterizat Div, Tsukuba, Ibaraki 3058565, Japan

[2] Ind Res Inst Nagano Prefecture, Wakasato, Nagano 3800928, Japan

[3] Precis Technol Res Inst Nagano Prefecture, Nagano 3940084, Japan

[4] Hokkdaido Ind Res Inst, Kita Ku, Sapporo, Hokkaido 0600819, Japan

来源：

关键词：

Silica;

D O I：

10.2116/analsci.18.1395

中图分类号：

O65 [分析化学];

学科分类号：

070302 ; 081704 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：1395 / 1398

页数：4