Interface trap characterization using charge-pumping method

被引：0

作者：

Nowak, B ^{[1
]}

Jakubowski, A ^{[1
]}

Szostak, S ^{[1
]}

Gawrys, R ^{[1
]}

Lukasiak ^{[1
]}

机构：

[1] WARSAW UNIV TECHNOL,INST MICROELECTR & OPTOELECTR,PL-00662 WARSAW,POLAND

来源：

SEMICONDUCTOR DEVICES | 1996年 / 2733卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：541 / 543

页数：3