Novel SONOS-type nonvolatile memory device with stacked tunneling and charge-trapping layers

被引：0

作者：

Tsai, Ping-Hung ^{[1
]}

Chang-Lioa, Kuei-Shu ^{[1
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Wu, Tai-Yu ^{[1
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Wang, Tien-Ko ^{[1
]}

Tzeng, Pei-Jer ^{[2
]}

Lin, Cha-Hsin ^{[2
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Lee, Lung-Sheng ^{[2
]}

Tsai, Ming-Jin ^{[2
]}

机构：

[1] Natl Tsing Hua Univ, Dept Engn & Syst Sci, Hsinchu, Taiwan

[2] Ind Technol Res Inst, Optoelect Res Labs, Hsinchu, Taiwan

来源：

2007 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE RESEARCH SYMPOSIUM, VOLS 1 AND 2 | 2007年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：76 / +

页数：2

共 3 条

[1] Design considerations in scaled SONOS nonvolatile memory devices [J].

Bu, JK ;

White, MH .

Chen, TS ;

Wu, KH ;

Chung, H ;

Kao, CH .

Govoreanu, B ;

Blomme, P ;

Rosmeulen, M ;

Van Houdt, J ;

De Meyer, K .