160 GHz enhancement-mode InAlAs/InGaAs/InP high electron mobility transistor

被引：0

作者：

Mahajan, A ^{[1
]}

Arafa, M ^{[1
]}

Fay, P ^{[1
]}

Caneau, C ^{[1
]}

Adesida, I ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV ILLINOIS,CTR COMPOUND SEMICOND MICROELECT,URBANA,IL 61801

来源：

1996 54TH ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE DIGEST | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/DRC.1996.546343

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：2