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Characterization of InP:Zn layers by photoluminescence and photoelectrochemical C-V profiling
被引:0
作者
:
Andrievski, VF
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0
机构:
Natl Acad Sci, Inst Elect, Minsk 220090, BELARUS
Natl Acad Sci, Inst Elect, Minsk 220090, BELARUS
Andrievski, VF
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Gushchinskaya, EV
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Natl Acad Sci, Inst Elect, Minsk 220090, BELARUS
Natl Acad Sci, Inst Elect, Minsk 220090, BELARUS
Gushchinskaya, EV
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Emelyanenko, YS
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Natl Acad Sci, Inst Elect, Minsk 220090, BELARUS
Natl Acad Sci, Inst Elect, Minsk 220090, BELARUS
Emelyanenko, YS
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Malyshev, SA
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Natl Acad Sci, Inst Elect, Minsk 220090, BELARUS
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Malyshev, SA
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机构
:
[1]
Natl Acad Sci, Inst Elect, Minsk 220090, BELARUS
来源
:
HETEROSTRUCTURE EPITAXY AND DEVICES: HEAD '97
|
1998年
/ 48卷
关键词
:
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:147 / 150
页数:4
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