Performance enhancement of gate-all-around InGaAs nanowire MOSFETs by raised source and drain structure

被引：0

作者：

Si, M. ^{[1
]}

Lou, X.

Li, X. ^{[1
,2
]}

Gu, J. J. ^{[1
]}

Wu, H. ^{[1
]}

Wang, X. ^{[2
]}

Zhang, J. ^{[1
]}

Gordon, R. G.

Ye, P. D. ^{[1
]}

机构：

[1] Purdue Univ, Sch Elect & Comp Engn, W Lafayette, IN 47907 USA

[2] Harvard Univ, Dept Chem & Biol Chem, Cambridge, MA 02138 USA

来源：

2013 71ST ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE (DRC) | 2013年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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