Post dry etching treatment of nanopillar GaN/InGaN multi-quantum-wells (vol 868, 159211, 2021)

被引：0

作者：

Polyakov, A. Y. ^{[1
]}

Alexanyan, L. A. ^{[1
]}

Skorikov, M. L. ^{[2
]}

Chernykh, A. V. ^{[1
]}

Shchemerov, I. V. ^{[1
]}

Murashev, V. N. ^{[1
]}

Kim, Tae-Hwan ^{[3
]}

Lee, In-Hwan ^{[3
]}

Pearton, S. J. ^{[4
]}

机构：

[1] Natl Univ Sci & Technol MISiS, 4 Leninsky Ave, Moscow 119049, Russia

[2] Russian Acad Sci, PN Lebedev Phys Inst, 53 Leninsky Ave, Moscow 119991, Russia

[3] Korea Univ, Dept Mat Sci & Engn, Lab Optoelect Mat LOEM, 145 Anam Ro, Seoul, South Korea

[4] Univ Florida, Dept Mat Sci & Engn, Gainesville, FL 32611 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/j.jallcom.2021.161947

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

页数：1