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High voltage scanning electron microscopy for in-situ electromigration studies
被引:0
作者
:
Bravman, JC
论文数:
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0
机构:
Stanford Univ, Dept Mat Sci & Engn, Stanford, CA 94305 USA
Stanford Univ, Dept Mat Sci & Engn, Stanford, CA 94305 USA
Bravman, JC
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1
]
Flinn, PA
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Stanford Univ, Dept Mat Sci & Engn, Stanford, CA 94305 USA
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Flinn, PA
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Marieb, TN
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Stanford Univ, Dept Mat Sci & Engn, Stanford, CA 94305 USA
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Marieb, TN
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Lee, S
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Stanford Univ, Dept Mat Sci & Engn, Stanford, CA 94305 USA
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Lee, S
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Doan, J
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Stanford Univ, Dept Mat Sci & Engn, Stanford, CA 94305 USA
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Doan, J
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1
]
机构
:
[1]
Stanford Univ, Dept Mat Sci & Engn, Stanford, CA 94305 USA
来源
:
ELECTRON MICROSCOPY 1998, VOL 3: MATERIALS SCIENCE 2
|
1998年
关键词
:
D O I
:
暂无
中图分类号
:
O64 [物理化学(理论化学)、化学物理学];
学科分类号
:
070304 ;
081704 ;
摘要
:
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页码:397 / 398
页数:2
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