Ion beam induced epitaxial recrystallization of alumina thin films deposited on sapphire (Reprinted from Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, vol 106, pg 579-582, 1995)

被引：0

作者：

Yu, N ^{[1
]}

Nastasi, M ^{[1
]}

机构：

[1] LOS ALAMOS NATL LAB,DIV MAT SCI & TECHNOL,LOS ALAMOS,NM 87545

来源：

ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS | 1996年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：579 / 582

页数：4

相关论文

empty

未找到相关数据