Strained InGaAs ridge quantum wires structure grown by molecular beam epitaxy on nonplanar substrate

被引：0

作者：

Niu, ZC ^{[1
]}

Zhou, ZQ ^{[1
]}

Lin, YW ^{[1
]}

Zhang, Y ^{[1
]}

Li, XF ^{[1
]}

Hu, XW ^{[1
]}

机构：

[1] CHINESE ACAD SCI,INST SEMICOND,NATL RES CTR OPTOELECT TECHNOL,BEIJING 100083,PEOPLES R CHINA

来源：

SEMICONDUCTOR LASERS II | 1996年 / 2886卷

关键词：

quantum wire; strained; ridge structure; MBE; photoluminescence;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：268 / 272

页数：5