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Dopant incorporation efficiency in CVD silicon carbide epilayers
被引：0
作者：
Larkin, DJ
[1
]
机构：
[1] NASA,LEWIS RES CTR,CLEVELAND,OH 44135
来源：
COVALENT CERAMICS III - SCIENCE AND TECHNOLOGY OF NON-OXIDES
|
1996年
/
410卷
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TQ174 [陶瓷工业];
TB3 [工程材料学];
学科分类号：
0805 ;
080502 ;
摘要：
引用
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页码：337 / 344
页数：8
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