Island formation during growth of Ge on Si(001) by chemical vapor deposition

被引：0

作者：

Kamins, TI ^{[1
]}

Carr, EC ^{[1
]}

Williams, RS ^{[1
]}

Rosner, SJ ^{[1
]}

机构：

[1] HEWLETT PACKARD LABS,PALO ALTO,CA 94303

来源：

ABSTRACTS OF PAPERS OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY | 1997年 / 213卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O6 [化学];

学科分类号：

0703 ;

摘要：

引用

页码：14 / PHYS

页数：1