Modeling off-state leakage current of DG-SOI MOSFET's for low-voltage design

被引：0

作者：

Yu, B ^{[1
]}

Tanaga, T ^{[1
]}

Hu, CM ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF BERKELEY,DEPT ELECT ENGN & COMP SCI,BERKELEY,CA 94720

来源：

1996 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE PROCEEDINGS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/SOI.1996.552471

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：15 / 17

页数：3