Nucleation mechanism of gallium-assisted molecular beam epitaxy growth of gallium arsenide nanowires (vol 92, art no 063112, 2008)

被引：5

作者：

Fontcuberta i Morral, A. ^{[1
]}

Maslov, Konstantin ^{[1
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Colombo, C. ^{[1
]}

Abstreiter, G. ^{[1
]}

Arbiol, J. ^{[2
]}

Morant, J. R. ^{[3
]}

机构：

[1] Univ Munich, Walter Schottky Inst, D-85748 Garching, Germany

[2] Univ Barcelona, Serv Cientificotecn, TEM MAT, E-08080 Barcelona, CAT, Spain

[3] Univ Barcelona, Dept Elect, EME CeRMAE IN2UB, E-08080 Barcelona, Spain

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.2894500

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页数：1