Photoresist characterization and wet strip after low-k dry etch

被引：7

作者：

Claes, M. ^{[1
]}

Le, Q. T. ^{[1
]}

Keldermans, J. ^{[2
]}

Kesters, E. ^{[1
]}

Lux, M. ^{[1
]}

Franquet, A. ^{[1
]}

Vereecke, G. ^{[1
]}

Mertens, P. W. ^{[1
]}

Frank, M. M. ^{[3
]}

Carleer, R. ^{[4
]}

Adriaensens, P. ^{[4
]}

Vanderzande, D. ^{[4
]}

机构：

[1] IMEC VZW, Kapeldreef 75, B-3001 Louvain, Belgium

[2] GroepT, Leuven Hogesch, B-3000 Louvain, Belgium

[3] IMEC, IBM, TJ Watson Res Ctr, Yorktown Hts, NY 10598 USA

[4] Univ Hasselt, IMO Div Chem, B-3590 Diepenbeek, Belgium

来源：

ULTRA CLEAN PROCESSING OF SEMICONDUCTOR SURFACES VIII | 2008年 / 134卷

关键词：

post-etch photoresist; low-k; BEOL; polymer characterization; solvents; megasonic;

D O I：

10.4028/www.scientific.net/SSP.134.325

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：3