Thermal stability improvement of Ni germanide utilizing Ni-Pd alloy for nano-scale Ge MOSFETs

被引：0

作者：

Zhang, Ying-Ying ^{[1
]}

Zhong, Zhun ^{[1
]}

Li, Shi-Guang ^{[1
]}

Jung, Soon-Yen ^{[1
]}

Park, Kee-Young ^{[1
]}

Lee, Ga-Won ^{[1
]}

Wang, Jin-Suk ^{[1
]}

Oh, Jung-Woo

Majhi, Prashant

Tseng, Hsing-Huang

Lee, Hi-Deok ^{[1
]}

机构：

[1] Chungnam Natl Univ, Dept Elect Engn, Taejon 305764, South Korea

来源：

EXTENDED ABSTRACTS 2008 INTERNATIONAL WORKSHOP ON JUNCTION TECHNOLOGY | 2008年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：158 / 161

页数：4

共 42 条