Luminescence of rare earth doped porous silicon

被引:2
作者
Kimura, T [1 ]
Hosokawa, I [1 ]
Nishida, Y [1 ]
Dejima, T [1 ]
Saito, R [1 ]
Ikoma, T [1 ]
机构
[1] UNIV ELECTROCOMMUN,CHOFU,TOKYO 182,JAPAN
来源
RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II | 1996年 / 422卷
关键词
D O I
10.1557/PROC-422-149
中图分类号
TB3 [工程材料学];
学科分类号
0805 ; 080502 ;
摘要
引用
收藏
页码:149 / 154
页数:6
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