Spectroscopy of mounting-induced strain and strain-induced defects in InAdGaAs/GaAs high-power diode lasers

被引：0

作者：

Bärwolff, A ^{[1
]}

Tomm, JW ^{[1
]}

Müller, R ^{[1
]}

Gerhardt, A ^{[1
]}

Donecker, J ^{[1
]}

Luft, J ^{[1
]}

Grötsch, S ^{[1
]}

机构：

[1] Max Born Inst Nichtlineare Opt & Kurzzeitspektros, D-12489 Berlin, Germany

来源：

LEOS 2000 - IEEE ANNUAL MEETING CONFERENCE PROCEEDINGS, VOLS. 1 & 2 | 2000年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：508 / 509

页数：2