Total dose effects on a fully-depleted SOI NMOSFET and its lateral parasitic transistor

被引：0

作者：

FerletCavrois, V ^{[1
]}

Musseau, O ^{[1
]}

Leray, JL ^{[1
]}

Raffaelli, M ^{[1
]}

Pelloie, JL ^{[1
]}

Raynaud, C ^{[1
]}

机构：

[1] CTR ETUD BRUYERES LE CHATEL,CEA,F-91680 BRUYERES CHATEL,FRANCE

来源：

RADECS 95 - THIRD EUROPEAN CONFERENCE ON RADIATION AND ITS EFFECTS ON COMPONENTS AND SYSTEMS | 1996年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：142 / 146

页数：5