Bounding the severity of hysteretic transient effects in partially-depleted SOI CMOS

被引：1

作者：

Wei, A ^{[1
]}

Antoniadis, DA ^{[1
]}

机构：

[1] MIT,MICROSYST TECHNOL LABS,CAMBRIDGE,MA 02139

来源：

1996 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE PROCEEDINGS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/SOI.1996.552500

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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