Preparation and properties of ferroelectric Bi2SrTa2O9 thin films for FeRAM using flash-MOCVD

被引：56

作者：

Ami, T ^{[1
]}

Hironaka, K ^{[1
]}

Isobe, C ^{[1
]}

Nagel, N ^{[1
]}

Sugiyama, M ^{[1
]}

Ikeda, Y ^{[1
]}

Watanabe, K ^{[1
]}

Machida, A ^{[1
]}

Miura, K ^{[1
]}

Tanaka, M ^{[1
]}

机构：

[1] SONY CORP,MAGNET & INORGAN MAT RES GP,RES CTR,YOKOHAMA,KANAGAWA 240,JAPAN

来源：

METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF ELECTRONIC CERAMICS II | 1996年 / 415卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-415-195

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：195 / 200

页数：6