Tensorial Analysis of Strain Field Around Indentation on Silicon by Using Raman Spectroscopy

被引：0

作者：

Yamaguchi, M. ^{[1
]}

Fujitsuka, M. ^{[1
]}

Ueno, S. ^{[1
]}

Kouzu, T. ^{[2
]}

Miura, I. ^{[2
]}

Katayama, S. ^{[3
]}

机构：

[1] Japan Soc Promot Machine Ind, Tech Res Inst, 1-1-12 Hachiman Cho, Tokyo 2030042, Japan

[2] Renishaw KK, Tokyo 1600004, Japan

[3] Fischer Instruments KK, Saitama, Japan

来源：

XXII INTERNATIONAL CONFERENCE ON RAMAN SPECTROSCOPY | 2010年 / 1267卷

关键词：

PHASE-TRANSFORMATIONS; NANOINDENTATION; STRESS;

D O I：

10.1063/1.3482673

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页数：2

共 42 条