Energy band states of an oxygen doped GeSbTe phase-change memory cell: Mechanism of low-voltage operation

被引：0

作者：

Fujisaki, Yoshihisa ^{[1
]}

Matsuzaki, Nozomu ^{[1
]}

Kurotsuchi, Kenzo ^{[1
]}

Morikawa, T. ^{[1
]}

Kinoshita, M. ^{[1
]}

Kitai, N. ^{[2
]}

Hanzawa, Satoru ^{[1
]}

Moriya, H. ^{[3
]}

Takaura, Norikatsu ^{[1
]}

Terao, M. ^{[1
]}

Matsuoka, M.

Koga, Tsuyoshi ^{[4
]}

Moniwa, M. ^{[4
]}

机构：

[1] Hitachi Ltd, Cent Res Lab, 1-280 Higashikoigakubao, Tokyo 1858601, Japan

[2] Hitachi USIL Syst, Tokyo 1858601, Japan

[3] Mech Engn Res Lab, Ibaraki 3120034, Japan

[4] Renesas Technol Corp, Itami, Hyogo 6640005, Japan

来源：

MATERIALS AND PROCESSES FOR NONVOLATILE MEMORIES II | 2007年 / 997卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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页数：2