Electrically injected 1.64 μm-emitting In0.65Ga0.35As 3-QW laser diodes grown on mismatched substrates by MOVPE

被引：0

作者：

Kim, Honghyuk ^{[1
]}

Shi, Bei ^{[2
]}

Li, Qiang ^{[2
]}

Rajeev, Ayushi ^{[1
]}

Lau, Kei May ^{[2
]}

Kuech, Thomas F. ^{[3
]}

Mawst, Luke J. ^{[1
]}

机构：

[1] Univ Wisconsin Madison, Dept Elect & Comp Engn, Madison, WI 53706 USA

[2] Hong Kong Univ Sci & Technol, Dept Elect & Comp Engn, Hong Kong, Peoples R China

[3] Univ Wisconsin Madison, Dept Chem & Biol Engn, Madison, WI USA

来源：

2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) | 2019年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页数：1