Bond-length strain in buried Ga1-xInxAs thin alloy films grown coherently on InP(001) (vol 73, pg 1269, 1998)

被引：4

作者：

Woicik, JC ^{[1
]}

Gupta, JA

Watkins, SP

Crozier, ED

机构：

[1] Natl Inst Stand & Technol, Gaithersburg, MD 20899 USA

[2] Simon Fraser Univ, Dept Phys, Burnaby, BC V5A 1S6, Canada

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.122433

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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