Suppression of boron-oxygen defects in p-type Czochralski silicon by germanium doping (vol 97, 051903, 2010)

被引：0

作者：

Yu, Xuegong ^{[1
]}

Wang, Peng ^{[1
]}

Chen, Peng ^{[1
]}

Li, Xiaoqiang ^{[1
]}

Yanga, Deren ^{[1
]}

机构：

[1] Zhejiang Univ, State Key Lab Silicon Mat, Hangzhou 310027, Zhejiang, Peoples R China

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.3483301

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页数：1