Ion beam induced epitaxial regrowth and layer by layer amorphization of compound semiconductors during MeV ion implantation (Reprinted from Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, vol 106, pg 281-288, 1995)

被引：0

作者：

Glaser, E ^{[1
]}

Bachmann, T ^{[1
]}

Schulz, R ^{[1
]}

Schippel, S ^{[1
]}

Richter, U ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV JENA,INST FESTKORPERPHYS,D-07743 JENA,GERMANY

来源：

ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS | 1996年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：281 / 288

页数：8