Transient phase formation during the growth of epitaxial CoSi2 by annealing of Co/Ti bi-layers on (100)Si

被引：0

作者：

Miller, DJ ^{[1
]}

Selinder, TI ^{[1
]}

Gray, KE ^{[1
]}

机构：

[1] ARGONNE NATL LAB,DIV MAT SCI,ARGONNE,IL 60439

来源：

SILICIDE THIN FILMS - FABRICATION, PROPERTIES, AND APPLICATIONS | 1996年 / 402卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

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页数：6