New tapered quantum-dot mode-locked laser diode with high peak power, low divergence and good beam quality

被引：0

作者：

Ruiz, M. ^{[1
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Michel, N. ^{[1
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Calligaro, M. ^{[1
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Robert, Y. ^{[1
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Krakowski, M. ^{[1
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Nikitichev, D. I. ^{[2
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Cataluna, M. A. ^{[2
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Livshits, D. ^{[3
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Rafailov, E. U. ^{[2
]}

机构：

[1] Alcatel Thales III V Lab, RD 128, F-91767 Palaiseau, France

[2] Univ Dundee, Sch Engn, Dept Phys Mat, Dundee DD1 4HN, Scotland

[3] Innolume GmbH, D-44263 Dortmund, Germany

来源：

22ND IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE | 2010年

基金：

英国工程与自然科学研究理事会;

关键词：

Tapered lasers; Quantum Dots; mode locking; gain guiding; peak power; divergence; beam quality;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

With a fully gain guided quantum-dot tapered laser diode we demonstrate stable low beam divergence, high beam quality together with a record peak power of 2.6W under passive mode locking.

引用

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