Nonradiative multiphonon transitions in semiconductor quantum dots

被引：12
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作者：
Goupalov, SV
机构：
[1] Los Alamos Natl Lab, Div Theoret, Los Alamos, NM 87545 USA
[2] AF Ioffe Phys Tech Inst, St Petersburg 194021, Russia
来源：
PHYSICAL REVIEW B | 2005年 / 72卷 / 07期
关键词：
D O I：
10.1103/PhysRevB.72.073301
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
A mathematical formalism suitable for a treatment of nonradiative multiphonon transitions in semiconductor quantum dots is developed. An analytical expression for the temperature dependence of the transition rate is derived.
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