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Reduced 1/f noise and g(m) degradation for sub-0.25 mu m MOSFETs with 25 angstrom-50 angstrom gate oxides grown on nitrogen implanted Si substrates
被引：0
作者：
Liu, CT
Misra, D
Cheung, KP
Alers, GB
Chano, CP
Colonell, JI
Lai, WYC
Pai, CS
Liu, R
Clemens, JT
机构：
来源：
55TH ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE, DIGEST - 1997
|
1997年
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：124 / 125
页数：2
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