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Possibility of self-trapped excitons in silicon nanocrystallites
被引:0
作者
:
Allan, G
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0
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0
机构:
DEPT INST SUPER ELECT NORD,INST ELECT & MICROELECT NORD,F-59046 LILLE,FRANCE
DEPT INST SUPER ELECT NORD,INST ELECT & MICROELECT NORD,F-59046 LILLE,FRANCE
Allan, G
[
1
]
Delerue, C
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机构:
DEPT INST SUPER ELECT NORD,INST ELECT & MICROELECT NORD,F-59046 LILLE,FRANCE
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Delerue, C
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]
Lannoo, M
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机构:
DEPT INST SUPER ELECT NORD,INST ELECT & MICROELECT NORD,F-59046 LILLE,FRANCE
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Lannoo, M
[
1
]
机构
:
[1]
DEPT INST SUPER ELECT NORD,INST ELECT & MICROELECT NORD,F-59046 LILLE,FRANCE
来源
:
SURFACE/INTERFACE AND STRESS EFFECTS IN ELECTRONIC MATERIALS NANOSTRUCTURES
|
1996年
/ 405卷
关键词
:
D O I
:
暂无
中图分类号
:
T [工业技术];
学科分类号
:
08 ;
摘要
:
引用
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页码:235 / 240
页数:6
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