共 4 条
- [1] BECKX S, 2004, IN PRESS P WORKSH DI
- [2] CLAES M, 2003, ELECTROCHEMICAL SOC
- [3] KRAUS H, 2004, UNPUB ISTC C SHANG C
- [4] PARASCHIV V, IN PRESS UCPSS 2004
Selective wet removal of Hf-based layers and post-dry etch residues in high-k and metal gate stacks
被引：2
作者：
Claes, M
Paraschiv, V
Beckx, S
Demand, M
Deweerd, W
Garaud, S
Kraus, H
Vos, R
Snow, J
Boullart, W
De Gendt, S
机构：
[1] IMEC VZW, B-3001 Heverlee, Belgium
[2] SEZ AG, Villach, Austria
[3] Katholieke Univ Leuven, Dept Chem, B-3001 Heverlee, Belgium
来源：
ULTRA CLEAN PROCESSING OF SILICON SURFACES VII
|
2005年
/
103-104卷
关键词：
high-k;
metal gate;
selective wet etching;
dry etch residue removal;
D O I：
10.4028/www.scientific.net/SSP.103-104.93
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
引用
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页数：4
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