Internal quantum efficiency measurements of GaInP quantum well laser material using liquid contact luminescence

被引：1

作者：

Hsu, CF ^{[1
]}

Largent, CC ^{[1
]}

O, JS ^{[1
]}

Young, CL ^{[1
]}

Zory, PS ^{[1
]}

Bour, DP ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV FLORIDA,DEPT ELECT & COMP ENGN,GAINESVILLE,FL 32611

来源：

LASER DIODES AND APPLICATIONS II | 1996年 / 2682卷

关键词：

liquid contact luminescence; LCL; internal quantum efficiency; quantum well; GaInP; diode laser; semiconductor;

D O I：

10.1117/12.237650

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

引用

页码：136 / 143

页数：8