The antiguiding parameter in mid-infrared optically pumped semiconductor lasers

被引:0
作者
Ongstad, A. P. [1 ]
Dente, G. C. [1 ]
Tilton, M. L. [1 ]
Kaspi, R. [1 ]
Chavez, J. R. [1 ]
机构
[1] USAF, Res Lab, Directed Energy Directorate, Albuquerque, NM 87117 USA
来源
22ND IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE | 2010年
关键词
D O I
暂无
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:133 / 134
页数:2
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共 1 条
[1]   CW DEGRADATION AT 300 DEGREES K OF GAAS DOUBLE-HETEROSTRUCTURE JUNCTION LASERS .2. ELECTRONIC GAIN [J].
HAKKI, BW ;
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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1973, 44 (09) :4113-4119