Comment on "AlN/GaN double-barrier resonant tunneling diodes grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy" [Appl. Phys. Lett. 81, 1729 (2002)]

被引：35

作者：

Belyaev, AE

Foxon, CT

Novikov, SV

Makarovsky, O

Eaves, L ^{[1
]}

Kappers, MJ

Humphreys, CJ

机构：

[1] Univ Nottingham, Sch Phys & Astron, Nottingham NG7 2RD, England

[2] Univ Cambridge, Dept Mat Sci & Met, Cambridge CB2 3QZ, England

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1622987

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：3626 / 3627

页数：2