Scanning Capacitance Microscopy for measuring device carrier profiles beyond the 100 nm generation

被引：0

作者：

Kopanski, JJ ^{[1
]}

Marchiando, JF ^{[1
]}

Rennex, BG ^{[1
]}

机构：

[1] NIST, Div Semicond Elect, Gaithersburg, MD 20899 USA

来源：

MICROPROCESSES AND NANOTECHNOLOGY 2000, DIGEST OF PAPERS | 2000年

关键词：

D O I：

10.1109/IMNC.2000.872740

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：250 / 251

页数：2