Reliability characteristics of TANOS (TaN/AlO/SiN/Oxide/Si) NAND flash memory with rounded corner (RC) structure

被引：6

作者：

Chang, Sung-Il ^{[1
]}

Lee, Chang-Hyun ^{[1
]}

Kang, Changseok ^{[1
]}

Jeon, Sanghun ^{[1
]}

Kim, Juhyung ^{[1
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Choi, Byeong-In ^{[1
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Park, Youngwoo ^{[1
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Park, Jintaek ^{[1
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Jeong, Wonseok ^{[1
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You, Janghyun ^{[1
]}

Choi, Bonghyun ^{[1
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Sel, Jongsun ^{[1
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Sim, Jae Sung ^{[1
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Shin, Yoocheol ^{[1
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Choi, Jungdal ^{[1
]}

Lee, Won-Seong ^{[1
]}

机构：

[1] Samsung Elect Co Ltd, Semicond R&D Ctr, Memory Business, Hwasung City 445701, Gyeonggi Do, South Korea

来源：

2008 JOINT NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY WORKSHOP AND INTERNATIONAL CONFERENCE ON MEMORY TECHNOLOGY AND DESIGN, PROCEEDINGS | 2008年

关键词：

D O I：

10.1109/NVSMW.2008.40

中图分类号：

TP3 [计算技术、计算机技术];

学科分类号：

0812 ;

摘要：

引用

页码：117 / 118

页数：2

共 5 条