Influence of Auger recombination on the temperature sensitivity of bulk and strained quantum well 1.3 mu m semiconductor laser

被引：5

作者：

Silver, M ^{[1
]}

Phillips, AF ^{[1
]}

OReilly, EPO ^{[1
]}

Adams, AR ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SURREY,DEPT PHYS,GUILDFORD GU2 5XH,SURREY,ENGLAND

来源：

PHYSICS AND SIMULATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES IV | 1996年 / 2693卷

关键词：

semiconductor lasers; temperature sensitivity; laser modelling; auger recombination; spontaneous emission; threshold current;

D O I：

10.1117/12.238994

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

引用

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页数：8