A 1.1 nm oxide equivalent gate insulator formed using TiO2 on nitrided silicon

被引：63

作者：

He, B ^{[1
]}

Ma, T ^{[1
]}

Campbell, SA ^{[1
]}

Gladfelter, WL ^{[1
]}

机构：

[1] Univ Minnesota, Dept Elect Engn, Minneapolis, MN 55455 USA

来源：

INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 1998 - TECHNICAL DIGEST | 1998年

关键词：

D O I：

10.1109/IEDM.1998.746533

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1038 / 1040

页数：3

共 3 条

Brar, B ;

Wilk, GD ;

Seabaugh, AC .

Campbell, SA ;

Gilmer, DC ;

Wang, XC ;

Hsieh, MT ;

Kim, HS ;

Gladfelter, WL ;

Yan, JH .

MASERJIA.J ;

PETERSSO.G ;

SVENSSON, C .